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2001年04月18日

窒化ガリウム(GaN)系

短波長半導体レーザーの製造技術開発に成功

 豊田合成株式会社(堀篭登喜雄社長)は、名城大学教授(名古屋大学名誉教授)赤崎 勇氏、および同助教授 天野 浩氏の 研究成果 について、科学技術振興事業団(川崎雅弘理事長)の委託を受け、開発を進めてきた「窒化ガリウム系短波長半導体レーザーの製造技術」に関し、このたび同事 業団より開発成功の認定を受けましたので、ここに概要をお知らせいたします。

 

1.開発技術の内容

1 窒化ガリウム(GaN)系材料を用い、欠陥の極めて少ない、高品質の多重量子井戸層をもつ、良質な半導体結晶の成長技術の開発
2 独自の光導波構造の開発と、放熱性に優れた実装技術の確立
   
  により、短波長領域で安定連続発振する半導体レーザー(レーザーダイオード:LD)を実現
 
2.開発受託期間

平成5年3月から7年間
 
3.開発費用

約7億円
 
4.開発製品

4-1. 特 性 1.波長 :410ナノメートル
     (1ナノメートル=10億分の1メートル)
2.出力 :3ミリワット
3.寿命 :室温連続発振 5000 時間以上(外挿値)
4-2. 製品化計画 2001年秋にサンプル出荷を開始し、顧客と仕様等をつめた上で出来る限り早く事業化する予定
4-3. 特許出願件数 約50件
 
5.製品用途

1 大容量DVD(次世代DVD)用 読み取り光源
2 レーザープリンタ
3 半導体基板の微細加工
4 投写式フルカラーレーザーディスプレイ
   
など  
 
6.市場規模

2000年のレーザーダイオード市場は29.2億$、2004年は53.5億$と推定されており、青紫色レーザーの市場参入により一層の拡大が期待される。
* Strategies Unlimited社予測

なお、本件については、科学技術振興事業団のホームページにも掲載されておりますので、合わせてご参照ください。
http://www.jst.go.jp/pr/press-release/index.html
以上

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