2001年04月18日
窒化ガリウム（GaN）系
短波長半導体レーザーの製造技術開発に成功
豊田合成株式会社（堀篭登喜雄社長）は、名城大学教授（名古屋大学名誉教授）赤崎 勇氏、および同助教授 天野 浩氏の 研究成果 について、科学技術振興事業団（川崎雅弘理事長）の委託を受け、開発を進めてきた「窒化ガリウム系短波長半導体レーザーの製造技術」に関し、このたび同事 業団より開発成功の認定を受けましたので、ここに概要をお知らせいたします。
| 記 |
１．開発技術の内容
| 1 |
窒化ガリウム（GaN）系材料を用い、欠陥の極めて少ない、高品質の多重量子井戸層をもつ、良質な半導体結晶の成長技術の開発 |
| 2 |
独自の光導波構造の開発と、放熱性に優れた実装技術の確立 |
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により、短波長領域で安定連続発振する半導体レーザー（レーザーダイオード：ＬＤ）を実現 |
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２．開発受託期間
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３．開発費用
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４．開発製品
| 4-1. |
特 性 |
1.波長 ：４１０ナノメートル
（1ナノメートル＝10億分の1メートル）
2.出力 ：３ミリワット
3.寿命 ：室温連続発振 ５０００ 時間以上（外挿値） |
| 4-2. |
製品化計画 |
２００１年秋にサンプル出荷を開始し、顧客と仕様等をつめた上で出来る限り早く事業化する予定 |
| 4-3. |
特許出願件数 |
約５０件 |
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５．製品用途
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大容量ＤＶＤ（次世代ＤＶＤ）用 読み取り光源 |
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レーザープリンタ |
| 3 |
半導体基板の微細加工 |
| 4 |
投写式フルカラーレーザーディスプレイ |
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| など |
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6．市場規模
| ２０００年のレーザーダイオード市場は２９.２億＄、２００４年は５３.５億＄と推定されており、青紫色レーザーの市場参入により一層の拡大が期待される。 |
| * Strategies Unlimited社予測 |
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| 以上 |
