特許第2778405号：ｐ－ｎ接合を有するダブルヘテロ構造の窒化ガリウム系化合物発光素子において、Mgがﾄﾞｰﾌﾟされたp型 GaAlNクラッド層の上にMgﾄﾞｰﾌﾟp型GaNコンタクト層を具備する窒化ガリウム系化合物発光素子。

■本件特許は、平成11年12月6日に特許庁で「特許無効排斥の審決」がなされ、この審決を不服として、東京高等裁判所に審決の取消を求める訴訟を提起したもの。

【特許庁による無効排斥審決の内容】
「Mgがﾄﾞｰﾌﾟされたp型 GaAlNクラッド層の上に、Mgﾄﾞｰﾌﾟ p型GaNコンタクト層を具備すること」は引用例には記載されていないから新規性があり、引用例に基いて当業者が容易に発明できるものでもない。

【当社の主張】
特許庁は新規性、進歩性の判断を誤っており、特許は無効である。

無効審判において新規性、進歩性がともにあるとした特許庁の審決について、新規性の点について判断するまでもなく進歩性がないことを理由に当該審決を取り消し、特許が無効であると判断した。