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2002年02月28日

青色発光ダイオードに関する２件の特許侵害訴訟において、

いずれも豊田合成の勝訴（非侵害）とする東京地裁の判決について

　 豊田合成株式会社（松浦剛社長）（以下、「豊田合成」という）は、日亜化学工業株式会社（以下、「日亜化学」という）との間において、窒化ガリウム系青色 発光ダイオード（LED）に関連して、計11件の特許侵害訴訟（日亜化学提起による訴訟7件、豊田合成提起による訴訟4件）について係争しております。その内、日亜化学が提起した下記権利に基づく2件の特許侵害訴訟について、東京地方裁判所 民事第46部（三村量一裁判長）は、本日、いずれの訴訟についても豊田合成勝訴（非侵害）との判決を言い渡しました。
　昨年、豊田合成は、日亜化学との間で争われている窒化ガリウム系青色発光ダイオードに関する東京高等裁判所における審決取消訴訟等において４件連続で勝訴していますが、今回、2件の侵害訴訟においても勝訴しました。

 
記
　
1. 対象権利及びその概要
　 　
（1） (特許第2735057号)
　 「インジウムとガリウムとを含む活性層に、n型InGaNクラッド層とp型AlGaNクラッド層がそれぞれ接した構造を持つ窒化物半導体発光素子」
　 　
（2） (特許第2770720号)
　 「p層のほぼ全面に形成されたオーミック接触用のAu合金を含む透光性電極と、Auを含み前記電極とのオーミック接触を阻害するAlもしくはCrを含まないボンディング用電極を持つ窒化ガリウム系化合物半導体発光素子」
　 　
2. 東京地方裁判所の判断
　 　
（1） （特許第2735057号）
　 「本件特許発明における「活性層」の２つの面のうち第１ のｎ型クラッド層と接する第１の面がInGaN層であるものに限られると解すべきところ、豊田合成の製品においては、「第１のｎ型クラッド層」に該当する ｎ型InGaN層に接している多重量子井戸構造の最外層は「InGaN層」ではなく、「GaN層」である。」
　 　
（2） （特許第2770720号）
　 「本件特許発明における『Auを含み前記電極とのオーミック接触を阻害するAl』とは、元素としてのAlそのものを指すと解するのが相当であるから、豊田合成の製品には、現にAlが存在することが認められる以上、豊田合成の製品は、本件特許の技術的範囲に属しない。」
　 　
以上

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