豊田合成株式会社（本社：愛知県清須市、社長：小山享）は、大阪大学と共同で、窒化ガリウム（GaN）を用いた次世代パワー半導体（GaNパワー半導体^※1）向けの基板の大口径化（直径の拡大）に成功しました。

パワー半導体は、産業機器や車、家電などの電力制御に幅広く使われています。現在、社会全体でのカーボンニュートラル実現に向け、再生可能エネルギーや電動車の大きな電力を制御する際の電力ロスを低減できる次世代パワー半導体の実用化・普及拡大が期待されています。その1つであるGaNパワー半導体の開発においては、課題である生産性向上（コスト低減）の実現に向け、GaN基板の高品質化・大口径化が求められています。

このたび当社と大阪大学は、環境省が主導するプロジェクト^※2において、ナトリウムとガリウムを混合した液体金属の中でGaNの結晶を成長させる手法（ナトリウムフラックス法）を活用し、世界最大級となる6インチを超える高品質なGaN基板（GaN種結晶）を作製しました。今後、6インチの基板量産化に向けた品質の評価などを行い、更なる品質改善と大口径化（6インチ以上）を進めていきます。

＜6インチ超GaN基板（GaN種結晶）＞

＜パワー半導体の作製プロセス＞

＜大口径GaN基板作製のポイント＞
（ナトリウムフラックス法）

＜活用が期待される領域＞