豊田合成株式会社（本社：愛知県清須市、社長：小山享）は、窒化ガリウム（GaN）を用いた次世代パワー半導体（GaNパワー半導体）の開発において、このたび環境省の「令和4年度革新的な省CO₂実現のための部材（GaN）や素材（CNF）の社会実装・普及展開加速化事業」に、パナソニック株式会社、名古屋大学および大阪大学と共同で選ばれました。

パワー半導体は、産業機器や車、家電などの電力制御に幅広く使われています。現在、社会全体でのカーボンニュートラル実現に向け、再生可能エネルギーや電動車の電力制御時の電力ロスを低減できる次世代パワー半導体の普及拡大が期待されています。その1つであるGaNパワー半導体の実用化に向け、当社では青色LEDやUV-C（深紫外線）LEDで培ったGaNに関する知見を活用し、産官学連携で開発を進めています。

本プロジェクトでは､当社と大阪大学､パナソニックが開発する､高品質･大口径かつ電気抵抗の低い^※GaN基板を活用し､「大電力と高速動作を両立」できる縦型GaNパワー半導体素子を開発します。名古屋大学では、これらの素子を用いた高効率GaNインバータを開発､BEVに搭載して実機実証し､産官学でCO₂削減効果の検証を進めていきます。

＜環境省のプロジェクトにおけるGaNパワー半導体の開発プロセス＞

＜活用領域のイメージ＞